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840nm VCSEL阵列湿法氧化研究
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN248.4[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022, [2]中国人民解放军装甲兵技术学院,长春130117
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(60306004)
中文摘要:

湿法氧化工艺已经成为制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其阵列的关键技术,为提高器件的散热性能,对单元器件采用环行分布孔的氧化窗口,优化设计了分布孔的数目与间距,同时从瞬态热传导方程对构成激光器阵列单元器件的热相互作用进行了理论的分析。采用湿法氧化工艺制备了840 nm、3×3二维VCSEL阵列,对阵列器件的光电特性、光谱及近场等进行了测量,证明器件性能良好。

英文摘要:

Wet oxidation is a key technology in fabrication of VCSEL and their array, in order to improve VCSEL thermal characteristics, devices with ring distributed perforations were made. The design of the number and the distance of the perforations were optimized. The thermal interaction between individual elements in lasers array were studied with the transient thermal conduction function. In the experiments, the 840 nm 3 × 3 2-D VCSEL array devices were fabricated characteristics such as near field, emission spectrum, and through the wet oxidation technique, and the output power were measured. It reveals that the devices are with good performance.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070