位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
The design and analysis of sub-wavelength metal-grating large-aperture VCSELs
  • ISSN号：0946-2171
  • 期刊名称：Applied Physics B: Lasers and Optics
  • 时间：2012.10
  • 页码：171-175
  • 相关项目：980nm高效率垂直腔面发射激光材料结构设计生长与器件研制
作者： Ning, Y. Q.|Qin, L.|Liu, Y.|Wang, L. J.|
同期刊论文项目
980nm高效率垂直腔面发射激光材料结构设计生长与器件研制
期刊论文 65 会议论文 1 获奖 1 专利 2
同项目期刊论文
Measurement of gain characteristics of semiconductor lasers by amplified spontaneous emissions from
Design and analysis of high-temperature operating 795 nm VCSELs for chip-scale atomic clocks
基于亚波长金属光栅的980nm高功率垂直腔面发射激光器偏振控制
微型铷原子钟专用795nm垂直腔表面发射激光器
基于两端自发荧光辐射的808nm半导体激光器增益偏振特性实验表征和能带分析
Effects of spontaneously generated coherence on resonance fluorescence from triple quantum dot molec
High peak power 808 nm vertical-cavity surface-emitting laser array
795 nm VCSELs for 87Rb based miniaturized atomic clock
透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响
High-temperature operating 894.6nm-VCSELs withextremely low threshold for Cs-based chip scale atomic
Graphene induced high-Q hybridized plasmonic whispering gallery mode microcavities
Tunneling induced dark states and the controllable resonance fluorescence spectrum in quantum dot mo
High-peak-power vertical-cavity surface-emitting laser quasi-array realized using optimized large-ap
Optimization of electric field intensity distribution on high power semiconductor laser facet film
介质膜集成衬底垂直外腔面发射激光器
高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵
980nm高功率垂直腔面发射激光列阵的单元结构优化
852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性
氧化孔径对高功率垂直腔面发射激光器温升的影响
增益-腔模失配型高温工作垂直腔面发射半导体激光器
大功率半导体激光器腔面膜的场强分布优化
高功率窄脉冲垂直腔面发射激光器n-DBR反射率的优化
反射各向异性谱在线监测852nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长
基于电感耦合等离子体的InP基半导体材料干法刻蚀的研究
RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长
大功率垂直腔面发射激光器列阵的热模拟及优化
MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测
1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区设计
808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析
高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵
852nm半导体激光器量子阱设计与外延生长
Si/SiO2高对比光栅参数对反射率的影响
离子辅助沉积法制备SiO_2介质薄膜的应力研究