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An unified analytical model for optimizing the RESURF LDMOS with arbitrary vertical doping profiles
  • 期刊名称：IEEE Tran. On Electron Devices
  • 时间：0
  • 页码：-
  • 相关项目：SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究
作者： Tingting Hua|Yufeng Guo|Ying Yu|Jiafei Yao|Xiaojuan Xia|
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SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究
期刊论文 49 会议论文 25 专利 18
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