位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Atomic Layer Deposition of Al2O3 on H-Passivated GeSi: Initial Surface Reaction Pathways with H/GeSi
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：0
  • 页码：1323-1330
  • 语言：英文
  • 相关项目：原子层淀积高介电常数栅介质的界面层抑制和性能调控
作者： Dong Lin|Zhang Wei|Shi Yu|Sun Qing-Qing|Liu Han|Ding Shi-Jin|
同期刊论文项目
原子层淀积高介电常数栅介质的界面层抑制和性能调控
期刊论文 27
同项目期刊论文
Spectroscopic ellipsometry study of thin NiO films grown on Si (100) by atomic layer deposition
Improvement of Atomic-Layer-Deposited Al2O3/GaAs Interface Property by Sulfuration and NH3 Thermal N
Band Structures of Metal-Oxide Capped Graphene: A First Principles Study
Nonvolatile Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Ru-RuO (x) Composite Nanodots Embedded in Atom
Ta2O5在Si（100）表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究
A novel self-refreshable capacitorless DRAM cell and its extended applications
Investigation of Thermal Stability of Atomic-Layer-Deposited MgO Thin Films on Si(100) Using X-Ray P
Investigation on memory effect of MOS capacitors with Al-2 O-3/Pt-nanocrystals/HfO2
Electronic structure and optical properties of Nb doped Al2O3 on Si by atomic layer deposition
Highly Uniform Bipolar Resistive Switching With Al2O3 Buffer Layer in Robust NbAlO-Based RRAM
Atomic-Layer-Deposited HfLaO-Based Resistive Switching Memories With Superior Performance
Effect of pulse-plated nickel barriers on tin whisker growth for pure tin solder joints
Initial reaction mechanism of nitrogen-doped zinc oxide with atomic layer deposition
Density Functional Theory Study on the Reaction Mechanisms of Bis(cyclopentadienyl)magnesium with Hy
Influence of Ta and TaN bottom electrodes on electrical performances of MIM capacitors with atomic-l
Surface reaction mechanism of Y2O3 atomic layer deposition on the hydroxylated Si(100)-2 x 1: A dens
高介电常数HfO2栅介质的制备及性能
N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响
期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
  • 地址：北京中关村中国科学院物理研究所内（北京603信箱《中国物理快报》编辑部）
  • 邮编：100080
  • 邮箱：cpl@aphy.iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649490 82649024
  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
  • 被引量:190