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硅锗超晶格结构热导率的分子动力学模拟
  • ISSN号:0367-6234
  • 期刊名称:《哈尔滨工业大学学报》
  • 时间:0
  • 分类:O369[理学—流体力学;理学—力学]
  • 作者机构:[1]哈尔滨工业大学卫星工程技术研究所,哈尔滨150001
  • 相关基金:长江学者和创新团队发展计划资助项目(IRT0520)
中文摘要:

采用Stillinger-Webber势能函数描述硅锗超晶格结构原子间的相互作用,建立硅锗超晶格结构的热传导系统,利用非平衡分子动力学模拟方法计算了不同周期数、不同厚度、不同温度下的Si/Ge超晶格结构热导率.模拟结果表明:超晶格结构热导率随着周期长度和周期数的增加而逐渐增大.受界面热阻效应的影响,靠近高温热墙处导热层的温度跳跃最为明显.当温度在200~600 K变化时,热导率随着温度的升高而增大,并且明显小于相应的合金材料热导率.

英文摘要:

The interaction of atoms in the Si/Ge superlattice is described by using Stillinger-Weber potentials yield intermolecular energy and the heat transport system for Si/Ge superlattice is built up.The dependences of Si/Ge superlattice thermal conductivity on period length,number of periods and temperature are investigated by non-equilibrium molecular dynamics(NEMD) simulation.The results of calculations show that the thermal conductivities increase with an increase in period length and the number of periods.Because of the effects of thermal boundary resistance offered by interfaces,the temperature drop across the interface closest to the hot reservoir is the highest.In addition,the thermal conductivities also increase with the increasing of temperature within the range from 200 K to 600 K.Compared with that of the corresponding SiGe alloy,the thermal conductivities of Si/Ge superlattice are much smaller.

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期刊信息
  • 《哈尔滨工业大学学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:哈尔滨工业大学
  • 主编:冷劲松
  • 地址:哈尔滨市南岗区西大直街92号
  • 邮编:150001
  • 邮箱:
  • 电话:0451-86403427 86414135
  • 国际标准刊号:ISSN:0367-6234
  • 国内统一刊号:ISSN:23-1235/T
  • 邮发代号:14-67
  • 获奖情况:
  • 2000年获黑龙省科技期刊评比一等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),美国数学评论(网络版),德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:27329