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SPACE-CHARGE EFFECT IN UNINTENTIONALLY N-DOPED SILICON
  • ISSN号：0217-9849
  • 期刊名称：Modern Physics Letters B
  • 时间：2012.3.3
  • 页码：-
  • 相关项目：半导体中磁性离子量子态的探测与调控
作者： Cong, Kankan|Ji, Yang|
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