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两步腐蚀法制备多晶硅绒面
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:半导体光电
  • 时间:2011.4.4
  • 页码:243-247
  • 分类:TM914.41[电气工程—电力电子与电力传动]
  • 作者机构:[1]闽江学院物理学与电子信息工程系,福州350108, [2]厦门大学物理系,福建厦门361005, [3]厦门大学能源学院,福建厦门361005
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(61076056); 福建省重大专题项目(2007ZH0005-2); 闽江学院B类科研项目(YKY09003B)
  • 相关项目:物理冶金法晶体硅太阳电池光衰减现象的研究
中文摘要:

采用两步化学腐蚀法在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,其中两步腐蚀法包括酸-碱两步腐蚀法和酸-酸两步腐蚀法。通过表面形貌SEM和反射谱的测试,详细地研究了不同腐蚀条件和腐蚀溶液制备绒面的形貌和光学特征。实验发现,当腐蚀速率较快时,多晶硅的绒面形貌会出现大量的晶界和针孔效应,并分析了其形成原因。同时,采用酸-碱两步腐蚀法的效果优于酸-酸两步腐蚀法的效果。最后,用PECVD在绒面上沉积SiNx减反射膜,使表面的反射率在600~800nm范围内降到3%左右,达到了良好的减反射效果,得出了最优的绒面制备方案。

英文摘要:

Multi-crystalline silicon wafers were textured by double chemical treatments,which include acid-alkali and double acid treatments.By using SEM and reflectance spectrum,detailed study of surface morphology and optical properties of different etched surfaces was carried out.The results show that a large number of grain boundary delineation and pinholes will produce when the etching rate is too fast,and the reason is also discussed.And the results of acid-alkali treatment are better than that of double acid treatment.With PECVD AR coating of silicon nitride film,the reflectivity of texturing is reduced to be about 3% in the wavelength of 600~800 nm.Excellent preparation schemes are achieved.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924