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P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用
  • ISSN号:1000-985X
  • 期刊名称:《人工晶体学报》
  • 时间:0
  • 分类:O484[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071, [2]河北工业大学信息工程学院,天津300130
  • 相关基金:天津市自然科学基金(05YFJMTC01600);国家自然科学基金项目(No.60506003);南开大学博士启动基金(J02031);科技部国际合作重点项目(2006DFA62390);国家重点基础研究发展规划项目(No.2006CB202602,2006CB202603);新世纪优秀人才计划
中文摘要:

利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21Ω·cm、迁移率是0.22cm^2/(V·s)、载流子浓度为6.68×10^18cm^-3。此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47V。

英文摘要:

ZnO based p type transparent conductive films were fabricated on corning 7059 by ultrasonic spray pyrolysis using N-Al co-doping method.These films have rather high average transmittance over 90% in the range of 400-800 nm.Results of X-ray diffusion(XRD)measurements indicate that the films exhibit preferred c-axis orientation.Electrical properties of the films were measured by HL 5500 system with Van der paw method.Resistance,hall mobility,and carrier concentration are 4.21 Ω·cm,0.22 cm^2/(V·s),and 6.68×10^18 cm^-3,respectively.Microcrystalline silicon solar cells were fabricated by using this kind of film as electrodes,and open circuit voltage amounts to 0.47 V.

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期刊信息
  • 《人工晶体学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国建材工业协会
  • 主办单位:中国硅酸盐学会 晶体生长与材料专业委员会 中材人工晶体研究院
  • 主编:余明清
  • 地址:北京市733信箱
  • 邮编:100018
  • 邮箱:
  • 电话:010-65492963 65492968 65493320
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-985X
  • 国内统一刊号:ISSN:11-2637/O7
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1997年获国家科技优秀期刊,获部级优秀科技期刊奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:9943