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硅薄膜沉积中等离子体辉光功率和阻抗的测试分析
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:《物理学报》
  • 时间:0
  • 分类:TQ323.41[化学工程—合成树脂塑料工业]
  • 作者机构:[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071, [2]南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071, [3]Plasma Technology Laboratory Department. Chem. Engineering, Patras University, Patra, 26500, Greece
  • 相关基金:国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202602,2006CB202603),国家自然科学基金(批准号:60506003),天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01600),南开大学博士启动基金(批准号:J02031),教育部新世纪人才计划(NCET)和科技部国际合作重点项目(批准号:2006DFA62390)资助的课题.感谢中国-希腊政府间合作项目对本文的支持.
中文摘要:

采用改进的电压和电流测试方法对衬底电极外加不同电压Vs的射频等离子体中的阻抗和功率消耗进行了测试分析.结果表明:在射频电极施加恒定的电压Vel时,随衬底电极外加电压Vs的增加,辉光的电流在增加,结果导致阻抗在减小;另外,通过计算分析发现:仅有一小部分功率用于辉光,大部分功率消耗在匹配器和电缆上.通过对等离子体电学特性的综合测试分析也说明:在保证有足够多的硅烷时,衬底电极外加电压Vs增加时将会提高薄膜的沉积速率.

英文摘要:

Plasma impedance and power consumption were measured by modified voltage-current method at different applied voltages on the substrate electrode. The results indicated that discharge current increases with the increase of applied voltage on the substrate electrode when the applied voltage of RF electrode is fixed. As a result, plasma impedance decreases. In addition, only a small part of power was used by the plasma and a large part of power was consumed on the matching network and cables. Through the analysis of plasma electrical properties, it was found that the deposition rate of thin films will be increased with the increase of applied voltage on the substrate electrode so long as there is enough silane.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876