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有源荷控忆阻器在非线性电路中的应用
  • ISSN号:1000-2618
  • 期刊名称:《深圳大学学报:理工版》
  • 时间:0
  • 分类:TM13[电气工程—电工理论与新技术]
  • 作者机构:[1]广州大学物理与电子工程学院,广东广州510006
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(51277035)
中文摘要:

根据理论分析,搭建了一种新的二端口有源忆阻器.该有源荷控忆阻器不使用光敏电阻和数字电位器,理论上比较精确,并且容易在实验中实现.仿真和实验证明了这种有源忆阻器和真正的无源忆阻器具有相同的电路特性.此外还将该有源忆阻器加入到蔡氏混沌电路中,在非线性电路中成功实现混沌现象,证明了它可以等效于一个二端口元件接入其它电路工作,为忆阻器的应用打下了基础.

英文摘要:

Based on the theoretical analyses, this paper uses other electronic components to set up a kind of new dual port active memresistor. This kind of memresistor does not use a LDR resistor or a digital potentiometer, so this circuit is fairly accurate in theory and easy to achieve in experiment. It is proved by simulation and experiment that the active memresistor has the same characteristics in circuit with the real passive memresistor. In addition, the active memresistor is put in the CHUA's chaos circuit to engender the chaos phenomenon. The result proves that this circuit is the equivalent of a dual port component which can be attached to other circuit and work, and it will lay a foundation for the application of the memresistor.

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期刊信息
  • 《深圳大学学报:理工版》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:深圳大学
  • 主办单位:深圳大学
  • 主编:阮双琛
  • 地址:深圳市南山区南海大道3688号深圳大学办公楼419室
  • 邮编:518060
  • 邮箱:journal@szu.edu.cn
  • 电话:0755-26732266
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-2618
  • 国内统一刊号:ISSN:44-1401/N
  • 邮发代号:46-206
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国数学评论(网络版),德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,英国科学文摘数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
  • 被引量:3617