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中文摘要：
研究了Ga2O3／In膜反应自组装制备GaN薄膜，再将Ga2O3／In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜，用X射线衍射（XRD），傅里叶红外吸收（FTIR），扫描电镜（SEM），原子力显微镜（AFM），透射电镜（TEM）对样品进行结构，形貌的分析。测试结果表明：用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜，且900℃时成膜的质量最好。
英文摘要：
GaN films were synthesized by ammoniating GazO3/In films deposited on Si（111）substrates. The sample were characterized by X-ray diffraction（XRD）, fourier transformed spetra（FTIR）, scanning electron microscopy（SEM）, atomic force microscopy（AFM）and transmission electron microscopy（TEM）. The results show that the films synthesized were hexagonal GaN single crystals.
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