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硅基半导体中埋置硅量子点的低温生长与发光研究
  • ISSN号:0253-2395
  • 期刊名称:《山西大学学报:自然科学版》
  • 时间:0
  • 分类:O472[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]中国科学院物理研究所,北京100080
  • 相关基金:国家自然科学基金(10404034;10574147;50472070;60021403);国家“863”计划(2003AA302170)
中文摘要:

在硅基半导体中埋置的硅量子点因量子限域效应而具有光致发光的性能,是一种实现硅基光电集成很有前途的材料.文章介绍了此类复合薄膜的可控生长,并对其发光进行了研究.

英文摘要:

Photoluminescence can be obtained from silicon based on the compound films with silicon quantum dots embedded due to quantum confinement effect. The low temperature growth and luminescence study of such films were introduced. Our as-deposited films exhibited high efficiency photoluminescence and extremely short lifetime.

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期刊信息
  • 《山西大学学报:自然科学版》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:山西省教育厅
  • 主办单位:山西大学
  • 主编:杨斌盛
  • 地址:太原市坞城路92号
  • 邮编:030006
  • 邮箱:xbbjb@sxu.edu.cn
  • 电话:0351-7010455
  • 国际标准刊号:ISSN:0253-2395
  • 国内统一刊号:ISSN:14-1105/N
  • 邮发代号:22-42
  • 获奖情况:
  • 边疆七年获山西省一级期刊荣誉(1993-1999)
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),英国动物学记录,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
  • 被引量:5651