位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Spatial distribution of deep l
  • 时间：0
  • 相关项目：AlGaN/GaN超晶格材料生长及其子带间跃迁机理研究
作者： Q. Sun, H. Wang, D. S. Jiang,
同期刊论文项目
AlGaN/GaN超晶格材料生长及其子带间跃迁机理研究
期刊论文 17
同项目期刊论文
Strain evolution in GaN layers
Influence of the AlN interlaye
Depth dependence of structural
Measurement of threading dislo
Photoluminescence degradation
Optical analysis of dislocatio
Influence of AlN thickness on
Influence of defects in n?-GaN
Lateral phase separation in Al
Influence of cracks generation
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
高阻氮化镓外延层的异常光吸收
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si （111） substrate with AlGaN interlayer
Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapordeposition
MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究
MOCVD生长的GaN：Mg外延膜的光电性质