位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长
  • ISSN号：0258-7076
  • 期刊名称：《稀有金属》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.055[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093
  • 相关基金：国家重点基础研究发展规划(2006CB604900);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
作者： 王琦[1], 王荣华[1], 夏冬梅[1], 郑有炓[1], 韩平[1], 谢自力[1]
关键词： 碳化, SIC, 应变Si
中文摘要：

用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜.在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变sj薄膜,其霍尔迁移率明显高于相同掺杂浓度的体Si材料,电学性能得到了有效改善.

同期刊论文项目
　LiAlO2上非极性面GaN基LED材料生长与器件制备
期刊论文 36
同项目期刊论文
Growth and characterization of high-quality LiAlO2 single crystal
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长
GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长
生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响
Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布
应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜
MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
m面GaN平面内结构和光学各向异性研究
Chemical mechanical polishing of freestanding GaN substrates
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
4H-SiC欧姆接触与测试方法研究
薄膜材料研究中的XRD技术
一维AIN纳米结构制备进展
AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究
γ-LiAlO2上a面ZnO薄膜的光谱特性研究
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
Si1-yCy合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化
铝酸锂上非极性面氮化镓基LED材料生长与器件
期刊信息
  • 《稀有金属》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:北京有色金属研究总院
  • 主编：屠海令
  • 地址：北京新街口外大街2号
  • 邮编：100088
  • 邮箱：xxsf@grinm.com
  • 电话：010-82241917 62014832
  • 国际标准刊号：ISSN：0258-7076
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2111/TF
  • 邮发代号:82-167
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,冶金工业类核心期刊,中国科技论文统计源期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:13688