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Physical mechanisms of hydrogen-enhanced onset of epitaxial growth of silicon by plasma-enhanced che
  • 期刊名称:Appl. Phys. Lett.
  • 时间:0
  • 页码:264-268
  • 语言:中文
  • 相关项目:界面物理与界面化学
作者: X. Tan|G. W. Yang|
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