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H型栅结构的亚微米PDSOI MOS器件的跨导双峰效应研究
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：2012
  • 页码：-
  • 相关项目：面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究
作者： 毕津顺|
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