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Analytical models of lateral power devices with arbitrary vertical doping profiles in the drift regi
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：2013.5.5
  • 页码：1-9
  • 相关项目：SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究
作者： Hua Ting-Ting|Guo Yu-Feng|Yu Ying|Gene Sheu|Jian Tong|Yao Jia-Fei|
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SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
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  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406