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Enhanced Light Output of InGaN-Based Light Emitting Diodes with Roughed p-Type GaN Surface by Using
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2012.9
  • 页码：1-4
  • 相关项目：多量子阱中无应变AlInGaN四元合金势垒的应变补偿结构制备及发光性质研究
作者： Han Ping|Shi Yi|Zhang Rong|Zheng You-Dou|
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多量子阱中无应变AlInGaN四元合金势垒的应变补偿结构制备及发光性质研究
期刊论文 28
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期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
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  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
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  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
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  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
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