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Enhanced Light Output of InGaN-Based Light Emitting Diodes with Roughed p-Type GaN Surface by Using
ISSN号:0256-307X
期刊名称:Chinese Physics Letters
时间:2012.9
页码:1-4
相关项目:多量子阱中无应变AlInGaN四元合金势垒的应变补偿结构制备及发光性质研究
作者:
Han Ping|Shi Yi|Zhang Rong|Zheng You-Dou|
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期刊信息
《中国物理快报:英文版》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学院
主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
主编:
地址:北京中关村中国科学院物理研究所内(北京603信箱《中国物理快报》编辑部)
邮编:100080
邮箱:cpl@aphy.iphy.ac.cn
电话:010-82649490 82649024
国际标准刊号:ISSN:0256-307X
国内统一刊号:ISSN:11-1959/O4
邮发代号:
获奖情况:
中国期刊方阵“双高”期刊
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),美国数学评论(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
被引量:190