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双T型通道微流控芯片中场放大样品富集的数值分析
  • ISSN号:1006-2467
  • 期刊名称:《上海交通大学学报》
  • 时间:0
  • 分类:O652.6[理学—分析化学;理学—化学]
  • 作者机构:[1]上海交通大学机械与动力工程学院,上海200240
  • 相关基金:国家自然科学基金重点项目(50536010)及上海市科委重大项目(05JC14025)致谢感谢新加坡南洋理工大学的Charles Chun Yang教授对本课题的支持.
中文摘要:

通过合理的简化和假设,建立了一个包括电势分布方程、缓冲溶液浓度方程和样品粒子电迁移扩散方程的一维数学模型,并应用有限元方法对该模型进行了求解.计算得到了富集过程中样品浓度峰值出现的时间和位置,给出不同时刻表面带正、负电荷样品粒子的分离效果,对缓冲溶液浓度比值不同时的富集效果进行了分析.该模型可为芯片上场放大样品富集过程提供一定的理论预测和指导.

英文摘要:

A 1-D mathematical model including electrical potential distribution equation, buffer concentration equation, as well as sample electromigration and diffusion equation was developed through proper simplification and assumption to study sample stacking process in microfluidic chips. These governing equations were solved simultaneously using finite element method. The position and time that the maximal sample concentration appears, as well as the separation effect of cations and anions at different time in sample stacking were obtained through the simulation results. The effect of buffer concentration ratio on sample stacking effect was also analyzed. It is anticipated thar the numerical model developed in this paper is helpful to predict the sample stacking process.

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期刊信息
  • 《上海交通大学学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中华人民共和国教育部
  • 主办单位:上海交通大学
  • 主编:郑杭
  • 地址:上海市华山路1954号15F
  • 邮编:200030
  • 邮箱:shjt@chinajournal.net.cn
  • 电话:021-62933373 62932534
  • 国际标准刊号:ISSN:1006-2467
  • 国内统一刊号:ISSN:31-1466/U
  • 邮发代号:4-256
  • 获奖情况:
  • 1996年全国优秀科技期刊奖,1992年、1996年、1999年国家教育部系统优秀科技期刊奖,2002年“百种重点期刊奖”,2003年百种中国杰出学术期刊,2004年教育部全国高校优秀科技期刊一等奖,2004年“百种重点期刊奖”
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),美国数学评论(网络版),德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:30903