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用于光刻的EUV光源
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN305.7[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院近代物理研究所,兰州730000, [2]中国科学院研究生院,北京100049
  • 相关基金:中国科学院知识创新工程重大项目(KJCX109);国家杰出青年科学基金(10225523);中科院近代物理研究所所长基金资助项目(051313.SZ0)
中文摘要:

对国际上普遍采用的两种EUV光源:放电等离子体源(DPP)和激光等离子体源(LPP)进行了多方面比较。给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难。基于目前的测量结果,指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的极紫外辐射源。

英文摘要:

The general EUV sources, discharge produced plasma (DPP) and laser produced plasma (LPP), were compared in many respects. The virtues and challenges of each, some of which seem hard to overcome for now, were given. Based on the measurements, electron cyclotron resonance (ECR) plasma was introduced as a novel EUV source.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070