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Y掺杂BaTO3中异常长大机理的TEM研究
  • ISSN号：1000-6281
  • 期刊名称：《电子显微学报》
  • 时间：0
  • 分类：O513[理学—低温物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室,辽宁沈阳110016
  • 相关基金：国家杰出青年基金资助项目（No.50325101）,国家重点基础研究发展规划（973）项目（2002CB613503）资助.
作者： 郑士建[1], 艾延龄[1], 马秀良[1]
关键词： Y掺杂, 长大, 异常, BATIO3基, 机理, 高分辨透射电子显微镜, TEM, PTCR效应
中文摘要：

BaTiO3是一种重要的电子陶瓷。经过少量Y掺杂的BaTiO3具有正的温度电阻系数（PTCR），可以用作热敏器件。经研究证实PTCR效应只出现在大晶粒中，但异常长大在BaTiO3基陶瓷中是一种常见的现象，而且异常长大的晶粒会抑制基体晶粒的生长。所以有必要对BaTiO3中异常长大方式进行研究，以获得均匀的晶粒尺度。Park等人认为BaTiO3以二维形核的方式长大，其长大速度受界面反应控制。本文通过高分辨透射电子显微镜对异常长大晶界进行研究，通过直接观察证实了上述长大机理。

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