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Electrical spin injection into InGaAs/GaAs quantum wells: A comparison between MgO tunnel barriers g
  • ISSN号：0003-6951
  • 期刊名称：Applied Physics Letters
  • 时间：2014.7.7
  • 页码：-
  • 相关项目：通过自旋转移力矩效应实现无磁场全电控自旋注入半导体发光二极管
作者： Marie, X.|Hehn, M.|Mangin, S.|Zheng, Y.|Amand, T.|Tao, B.|Han, X. F.|Wang, Z.|Lu, Y.|
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通过自旋转移力矩效应实现无磁场全电控自旋注入半导体发光二极管
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