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中文摘要：
低噪声放大器包括输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络。微波晶体管放大器是设计中的核心部分。根据低噪声放大器设计的原理,提出技术指标要求,设计一个5GHz单级低噪声放大器,经过技术指标分析,采用Fujitsu公司的FHX35LG型HEMT场效应管晶体管。阐述了如何利用Agilent公司的ADS软件进行分析和优化设计该电路的过程,仿真结果完全满足设计指标,最后对微波电路的容差特性进行了模拟分析,对于低噪声放大器的设计研究有着重要的参考价值。
英文摘要：
Low-noise amplifier includs input matching network,microwave transistor amplifiers and output matching networks.Microwave transistor amplifier is the core of the design.According to the principle of low-noise amplifier design,technical requirements proposed design of a 5GHz single stage low noise amplifier,through technical analysis,using Fujitsu＇s FHX35LG based HEMT FET transistors.Describes how to use Agilent＇s ADS software to analyze and optimize the process design of the circuit simulation results fully meet the design specifications,the last of the tolerance characteristics of microwave circuit simulation analysis,the design of low noise amplifier has important reference Value.
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