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Improvement of green InGaN-based LEDs efficiency using a novel quantum well structure
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN312.8[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China, [2]University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
  • 相关基金：the National Key Research and Development Program of China （Grant Nos. 2016YFB0400300 and 2016YFB0400600）, the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 11574362, 61210014, and 11374340）, and the Innovative Clean-Energy Research and Application Program of Beijing Municipal Science and Technology Commission （Grant No. Z 151100003515001）.
作者： 李阳锋[1,2], 江洋[1,2], 迭俊珲[1,2], 王彩玮[1,2], 严砷[1,2], 马紫光[1,2], 吴海燕[1,2], 王禄[1,2], 贾海强[1,2], 王文新[1,2], 陈弘[1,2]
关键词： 量子阱结构, INGAN, LED, 发光二极管, 发光波长, 电流注入, 光输出功率, 可见光谱, InGaN, novel quantum wells, light-emitting diodes, electroluminescence
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： hchen@iphy.ac.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406