欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Epitaxial Growth of Si(111)/Er2O3 (111) Structure on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy
ISSN号:0256-307X
期刊名称:Chinese Physics Letters
时间:2011.3.3
页码:52-56
相关项目:非晶Er2O3选择性发射体兼减反射薄膜的物理特性研究
作者:
Xu Run|Tang Min-Yan|Zhu Yan-Yan|Wang Lin-Jun|
同期刊论文项目
非晶Er2O3选择性发射体兼减反射薄膜的物理特性研究
期刊论文 22
同项目期刊论文
Er2O3栅介质积累端电容频率色散效应的研究
Study on the Growth of Crystalline Er O Films on Si Substrates byRHEED Patterns
Structural and optical properties of CdS thin films prepared by r.f. sputtering at low temperature
Band alignment and band gap characterization of La2O3 films on Si substrates grown by radio frenqenc
Design and synthesis of Er2O3 films for antireflecting coatings
Study on the luminescence and reflection spectra of Al2O3 doped Er2O3 films on Si substrates
Optical constants of Er2O3-Al2O3 films studied by spectroscopic ellipsometry
Structural and Electrical Characteristics of Amorphous ErAlO Gate Dielectric Films
A model for the frequency dispersion of the high-k metal-oxide-semiconductor capacitance in accumula
Single-photon transport properties in a one-dimensional resonator waveguide coupled to a whispering-
HSE方法研究Cd_(1-x)Zn_xTe合金的性质
Er_2O_3栅介质积累端电容频率色散效应的研究
Effects of annealing in N2 and air after CdCl2 treatment on the properties
Low Reflectivity ErAlO Film on Si as Anti-reflecting Coating in
Study on vacuum ultraviolet spectra of amorphous Er2O3 films on Si(001) substrates
Structure and electrical characterization of amorphous ErSiO films deposited by rf magnetron sputter
Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究
低温磁控溅射制备CdS薄膜的结构和光学特性
期刊信息
《中国物理快报:英文版》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学院
主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
主编:
地址:北京中关村中国科学院物理研究所内(北京603信箱《中国物理快报》编辑部)
邮编:100080
邮箱:cpl@aphy.iphy.ac.cn
电话:010-82649490 82649024
国际标准刊号:ISSN:0256-307X
国内统一刊号:ISSN:11-1959/O4
邮发代号:
获奖情况:
中国期刊方阵“双高”期刊
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),美国数学评论(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,英国英国皇家化学学会文摘
被引量:190