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中文摘要：
GaAs表面在不同的Ⅴ/Ⅲ束流比下会呈现不同的表面重构相。本文通过改变As4 BEP和Ga BEP的束流强度,获得不同As4 BEP和Ga BEP束流比下GaAs（001）从富Asβ2（2×4）重构相转变成富镓β2（4×2）重构相的RHEED衍射图样,然后利用球棒模型对衍射图样进行解释。
英文摘要：
Different reconstructed phases will happen on GaAs（001） surface if the beam ratio Ⅴ/Ⅲ changes.With the beam intensity of As4 BEP and of Ga BEP changed,the RHEED patterns were obtained showing the transformation from As-rich β2（2×4） recontructed phase into Ga-rich β2（4×2） one on GaAs（001） surface when the beam ratio of As4 BEP to Ga BEP changes.Then,the RHEED patterns were explained via the ball-and-stick model.
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