欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
GaN-Based White-Light-Emitting Diodes with Low Color Temperature and High Color Rendering Index
ISSN号:1000-0593
期刊名称:Spectroscopy and Spectral Analysis
时间:2011.6.6
页码:1446-1449
相关项目:图形化有源区结构GaN基LED外延及相关物理问题研究
作者:
王峰|黄小辉|王怀兵|刘建平|范亚明|祝运芝|金铮|WANG Feng1,HUANG Xiao-hui1,WANG Huai-bing1,LIU Jia|
同期刊论文项目
图形化有源区结构GaN基LED外延及相关物理问题研究
期刊论文 21
专利 1
同项目期刊论文
生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响
Improving InGaN-LED performance by optimizing the patterned sapphire substrate shape
AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响
Characteristics of InGaN-based superluminescent diodes with one-sided oblique cavity facet
H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响
AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响
AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaNHEMT材料电学性质的影响
高Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究
预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响
高阻GaN的MOCVD外延生长
Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响
GaN基低色温高显色白光LED
期刊信息
《光谱学与光谱分析》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学技术协会
主办单位:中国光学学会
主编:高松
地址:北京海淀区魏公村学院南路76号
邮编:100081
邮箱:chngpxygpfx@vip.sina.com
电话:010-62181070
国际标准刊号:ISSN:1000-0593
国内统一刊号:ISSN:11-2200/O4
邮发代号:82-68
获奖情况:
1992年北京出版局编辑质量奖,1996年中国科协优秀科技期刊奖,1997-2000获中国科协择优支持基础性高科技学术期刊奖
国内外数据库收录:
俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国生物医学检索系统,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
被引量:40642