位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Calculation of model parameters of dislocation-rich silicon emitting device based on exciton theory
  • 期刊名称:Journal of Tianjin University
  • 时间:0
  • 页码:287-292
  • 语言:中文
  • 相关项目:硅基单片光电子集成回路(OEIC)的关键技术及相关理论研究
同期刊论文项目
同项目期刊论文