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基于SiC MOSFET户用光伏逆变器的效率分析
  • ISSN号:1000-100X
  • 期刊名称:《电力电子技术》
  • 时间:0
  • 分类:TM464[电气工程—电器]
  • 作者机构:[1]浙江大学电气工程学院,杭州310027
  • 相关基金:国家高技术研究发展计划(863计划)项目(SS2012AA053602,SS2012AA053603);国家自然科学基金(51277163);浙江省重点科技创新团队项目基金(2010R50021)
中文摘要:

户用型光伏逆变器的发展趋势是高频化、高效率、高功率密度,近年来,SiC MOSFET在电机驱动、光伏逆变器等场合得到了广泛研究。本文将SiC MOSFET应用于1.6kW两级式光伏逆变器中,提高逆变器的开关频率,对前后两级独立进行了效率分析。在前级Boost中,比较了20~100kHz开关频率下,SiC MOSFET和Si MOSFET对Boost效率的影响;在后级逆变器中,比较了100kHz SiC MOSFET逆变器与20kHz Si MOSFET H6逆变器的效率。搭建了1.6kW两级式光伏逆变器实验模型,采用SiC MOSFET,并在逆变器实验模型上对分析结果进行了实验验证。

英文摘要:

There is a trend of higher switching frequency, higher efficiency, and higher power density in the residential PV inverters. In recent years, SiC MOSFET was well investigated in the fields of motor driving and PV inverters. In this paper, SiC MOSFET was applied in a 1.6 kW two-stage PV inverter with a high switching frequency, and the efficiencies of the two stages were analyzed. In the front-end boost, the efficiency of SiC blOSFET Boost was compared with the Si Boost when the switching frequency is changing from 20 kHz to 100 kHz. In the back-end inverter, the efficiency of al00 kHz SiC inverter is compared with that of a 20 kHz Si H6 inverter. A prototype of 1.6kW inverter is constructed and the experiment result is compared with the theoretical result.

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期刊信息
  • 《电力电子技术》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:西安电力电子技术研究所
  • 主办单位:西安电力电子技术研究所
  • 主编:吕庆敏
  • 地址:西安市朱雀大街94号
  • 邮编:710061
  • 邮箱:dldzjstg@163.com
  • 电话:029-85271823
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-100X
  • 国内统一刊号:ISSN:61-1124/TM
  • 邮发代号:52-44
  • 获奖情况:
  • 获全国优秀科技期刊,获机械工业部科技期刊一等奖,获陕西省科技期刊一等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 波兰哥白尼索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:16331