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射频E类功率放大器并联电容技术研究
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:半导体技术
  • 时间:0
  • 页码:333-335
  • 语言:中文
  • 分类:TN722.75[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构:[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(60776051,60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京工业大学青年科研基金(97002013200701);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京市自然科学基金项目(4082007)
  • 相关项目:超宽频带SiGe HBT低噪声放大器研究
中文摘要:

为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值。分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法。指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了E类功率放大器中并联电容对电路性能的影响,同时给出了考虑并联电容的E类功率放大器的设计方法。

英文摘要:

In order to get the highest working efficiency of Class-E amplifier, it needs to get the exact values of shunt capacitance. The different characteristics of Class-E power amplifiers with linear shunt capacitance or with transistor nonlinear parasitic output capacitance were analyzed, and different designs were given. The analysis and calculating issues for shunt capacitance in design were pointed out. The effect of shunt capacitance on the circuit properties was discussed, and the design method of Class-E RF power amplifier with shunt capacitance was given.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070