位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
带浅沟槽隔离的双光电二极管电路模型研究
  • ISSN号：1000-3819
  • 期刊名称：固体电子学研究与进展
  • 时间：0
  • 页码：356-360
  • 语言：中文
  • 分类：TN364.1[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072
  • 相关基金：国家自然科学基金资助课题（批准号：60536030,60676038）;天津市应用基础研究计划重点项目（批准号：06YFJZJC00200）
  • 相关项目：硅基单片光电子集成回路（OEIC）的关键技术及相关理论研究
作者： 毛陆虹|王倩|
关键词： 硅光电探测器, 电路模型, 响应电流, 等效串联电阻, Si based photo-detector, circuit model, response current, equivalent series resistance
中文摘要：

通过器件模拟并结合实验结果，在已有PIN（Positive intrinsic negative）和DPD（Double photo-diodes）探测器电路模型基础之上，对带浅沟槽隔离（STI）准PIN结构的DPD探测器电路模型进行了探讨。模拟了由深N阱和浅沟槽给DPD带来的性能上的改变，同时结合实验结果，从响应电流和探测器的等效串联电阻两方面对电路模型进行了修正，得到了符合该器件的较准确电路模型。

英文摘要：

On the basis of PIN （Positive Intrinsic Negative）and DPD （Double Photo-Diodes） detector equivalent circuit models, this paper discusses about the equivalent circuit model of the quasi-PIN structure DPD with shallow trench isolation （STI） by analyzing device simulation and experimental results. After simulating, the improvement performance caused by deep N well and STI is compared with the experimental results. Then the existing model is modified from two aspects-response current and equivalent series resistance. At the end of the paper, more accurate and proper circuit model for the device is got.

同期刊论文项目
硅基单片光电子集成回路（OEIC）的关键技术及相关理论研究
期刊论文 67 会议论文 19 专利 17 著作 1
CMOS工艺兼容前均衡光电集成接收机研究
期刊论文 27 会议论文 3 专利 8
同项目期刊论文
Fully differential optoelectronic integrated receiver implemented by 0.35 μm standard CMOS proces
Approach to the optical interconnect made in standard CMOS process
一种新颖全差分光电集成接收机的标准CMOS实现
A monolithic, standard CMOS, fully differential optical receiver with an integrated MSM photodetecto
可应用于光互连的新型高带宽、高灵敏度差分光接收机的概念提出与设计(英文)
高灵敏度CMOS光电集成接收机设计(英文)
前均衡CMOS光电集成接收机概念的提出和模拟
一种与标准CMOS工艺兼容的光电集成接收机设计与实现(英文)
高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现(英文)
条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析
1Gb／sCMOS调节型共源共栅光接收机
标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备
可应用于光互连的新型高带宽、高灵敏度差分光接收机的概念提出与设计
An approach to the optical interconnect made in standard CMOS process
A monolithic,standard CMOS,fully differential optical receiver with an integrated MSM photodetector
A 1.5 Gb/s monolithically integrated optical receiver in the standard CMOS process
高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现
高灵敏度CMOS光电集成接收机设计
用于制备硅LED的太阳能电池技术
光调制器综述
Fully differential optoelectronic integrated receiver implemented by 0.35μm standard CMOS process
Design and fabrication of Si LED with the N-well-P^＋ junction based on standard CMOS technology
基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算
Research on Electric Field Confinement Effect in Silicon LED Fabricated by Standard CMOS Technology
标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析
硅基环形电-光调制器的理论分析和性能优化
An approach to the optical interconnect made in standard process
1-GB/s Zero-Pole Cancellation CMOS Transimpedance Amplifier for Gigabit Ethernet Applications
标准 CMOS 工艺 U 型硅 LED 器件发光分析
一种新颖全差分光电集成接收机的标准CMOS实现
全硅片上光互连用波导
Si 基单片集成光电探测器接收机设计
Review on silicon photonics devices compatible with standard integrated
硅基光电子集成回路的研究
近红外锗硅光电探测器的研究进展
An Optoelectronic Pulse Frequency Modulation Circuit for Retinal Prosthesis
硅基 CMOS 工艺发光器件
用于喇曼放大的 SOI 脊形波导中自由载流子寿命的解析表达
双沟道实空间转移晶体管（ RSTT ）的研制
Concept and design of a novel high-bandwidth, high-sensitivity differential receiver for optical int
高锗组分 PIN 锗硅光电探测器设计与模拟
Silicon Light Emitting Devices in CMOS Technology
硅基 PIN 光电探测器的设计与模拟
平面型 RTD 与 BJT 构成的串联单元特性分析
前均衡 CMOS 光电集成接收机概念的提出和模拟
A High Speed,12-Channel Parallel, Monolithic Integrated CMOS OEIC Receiver
用于制备硅 LED 的太阳能电池技术
Silicon light Emitting Device in CMOS Technology
Fully differential optoelectronic integrated receiver implemented by 0.35um standard CMOS process
RTD/HEMT 单片集成中 RTD 直流参数与材料结构的关系
一种测量 RTD 串联电阻的新方法
Calculation of model parameters of dislocation-rich silicon emitting device based on exciton theory
RTD 振荡特性的模拟与研究
基于标准 CMOS 工艺的 Si 基光发射器件
Sensitivity design for a CMOS optoelectronic integrated circuit receiver
共振隧穿晶体管的反相器统一模型
由 RTD/MOSFET 构成的新型振荡电路
Design and implementation of an optoelectronic integrated receiver in standard CMOS process
长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
A flexible logic circuit based on a MOS-NDR transistor in standard CMOS technology
高性能硅基MOS电光相位调制器
条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析
标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备
可应用于光互连的新型高带宽、高灵敏度差分光接收机的概念提出与设计
An approach to the optical interconnect made in standard CMOS process
A monolithic,standard CMOS,fully differential optical receiver with an integrated MSM photodetector
A 1.5 Gb/s monolithically integrated optical receiver in the standard CMOS process
高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现
高灵敏度CMOS光电集成接收机设计
用于制备硅LED的太阳能电池技术
光调制器综述
Fully differential optoelectronic integrated receiver implemented by 0.35μm standard CMOS process
Design and fabrication of Si LED with the N-well-P^＋ junction based on standard CMOS technology
基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算
MS／RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试
高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
由RTD／MOSFET构成的新型振荡电路
适用于神经接口的硅基微电极制作
用于喇曼放大的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达
硅基PIN光电探测器的设计与模拟
双沟道实空间转移晶体管（RSTT）的研制
与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究
RTD振荡特性的模拟与研究
神经记录用硅基多通道微电极探针的设计与制造
用于神经电信号记录的多通道微探针
Research on Electric Field Confinement Effect in Silicon LED Fabricated by Standard CMOS Technology
一种高灵敏度大动态范围读出电路
Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology
期刊信息
  • 《固体电子学研究与进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:南京电子器件研究所
  • 主编：杨乃彬
  • 地址：南京中山东路524号(南京160信箱43分箱)
  • 邮编：210016
  • 邮箱：gtdz@chinajournal.net.cn
  • 电话：025-86858161
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3819
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1110/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵双效期刊,江苏省第六届优秀期刊,工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:2461