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Indirect-direct band gap transition of two-dimensional arsenic layered semiconductors-cousins of bla
  • ISSN号：1674-7348
  • 期刊名称：Science China Physics,Mechanics & Astonomy
  • 时间：2015.8
  • 页码：-
  • 相关项目：薄膜太阳能电池吸收层半导体Cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4中表面和界面性质的理论研究
作者： Luo Kun|Chen ShiYou|Duan ChunGang|
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