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中文摘要：
采用化学镀金法在高阻P—CZT（CdZnTe）晶片表面制备Au电极。并用改进的圆环传输线模型（Ring-CTLM）测量了CZT电极的接触电阻，探讨了大气气氛下退火温度对CZT电极欧姆特性的影响。实验结果表明，200℃退火可以显著改善欧姆特性，使接触电阻率风显著减小，采用Ring—CTLM模型测得CZT与金电极接触电阻率为0．1524Ω·cm^2。通过XPS分析了CZT与Au电极接触界面的成分，发现在Au／p—CdZnTe界面处形成了CdTeO3层，该界面层可起到栽流子复合中心的作用，构建的新模型很好地解释了化学镀金法在p-CdZnTe晶片表面形成欧姆接触的机理。
英文摘要：
Au ohmic electrodes were prepared by the reaction of gold chloride solution on p-CdZnTe surface,and the Ring-CTLM （ring circular transmission line model method） graph was gained by photolithography. The ohmic contact resistivities （ρc） of Au/p-CdZnTe contacts after annealing at different temperature were characterized by I-V measurement, ρc of contact after annealing at 200℃ was improved to be 0. 1524Ω · cm^2. From XPS analysis, CdTeO3 interface layer was found. This interface layer could act as the charge carrier recombination center, which can explain the ohmic contact mechanism of Au/p-CdZnTe.
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Characterization of CdZnTe crystal grown by bottom-seeded Bridgman and Bridgman accelerated crucible
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