欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Improving InGaN-LED performance by optimizing the patterned sapphire substrate shape
ISSN号:1674-1056
期刊名称:Chinese Physics B
时间:2012.3.3
页码:1-5
相关项目:图形化有源区结构GaN基LED外延及相关物理问题研究
作者:
Huang Xiao-Hui|Liu Jian-Ping|Fan Ya-Ming|Kong Jun-Jie|Yang Hui|Wang Huai-Bing|
同期刊论文项目
图形化有源区结构GaN基LED外延及相关物理问题研究
期刊论文 21
专利 1
同项目期刊论文
生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响
GaN-Based White-Light-Emitting Diodes with Low Color Temperature and High Color Rendering Index
AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响
Characteristics of InGaN-based superluminescent diodes with one-sided oblique cavity facet
H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响
AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响
AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaNHEMT材料电学性质的影响
高Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究
预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响
高阻GaN的MOCVD外延生长
Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响
GaN基低色温高显色白光LED
期刊信息
《中国物理B:英文版》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京 中关村 中国科学院物理研究所内
邮编:100080
邮箱:
电话:010-82649026 82649519
国际标准刊号:ISSN:1674-1056
国内统一刊号:ISSN:11-5639/O4
邮发代号:
获奖情况:
国内外数据库收录:
被引量:406