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高温气相法生长AlN晶体中保温材料的研究
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TU551[建筑科学—建筑技术科学]
  • 作者机构:[1]深圳大学光电工程学院
  • 相关基金:国家自然科学基金(60376003,60576005);深圳市科技计划费用项目(200517)
中文摘要:

保温材料是影响高温气相法生长AlN晶体的主要因素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备AlN最常用的保温材料,但是存在易引入C杂质、减少坩埚寿命等缺点。采用不添加任何添加剂AlN粉体制作了高温气相法生长AlN晶体的保温材料,并与石墨保温材料进行对比研究发现,AlN保温材料具有耐高温、对W坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料。但是,与石墨保温材料相比,AlN也存在热导率相对较高、在高温过程中AlN粉体会出现少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策。

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070