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MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:《半导体光电》
  • 时间:0
  • 分类:TN303[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,成都610209, [2]电子科技大学光电信息学院,成都610054, [3]中国科学院大学,北京100049
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(11403029,61071027); 国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院NSAF联合基金项目(11176033)
中文摘要:

为研究MEMS静电驱动器的场电子发射效应,设计并加工了排斥驱动器和平行板驱动器两种不同结构的静电驱动器,实验测试了电极间漏电流随驱动电压的变化关系,验证了其满足场发射效应的FN理论公式,从而首次观察到静电排斥驱动器的场致电子发射效应。根据测试结果计算得到了所设计的两种MEMS静电驱动器的名义发射面积和场增强因子。由于器件自身的结构设计特征,平行板驱动器相对于排斥驱动器具有更大的名义发射面积和更小的场增强因子。

英文摘要:

The field electron emission effect is an important factor that limits the reliability of micro and nano opto-electro-mechanical devices.To study the field electron emission effect of MEMS electrostatic actuator,two different actuators including repulsive actuator and parallelplate actuator,are designed and fabricated.Through experimental measurement,the relationship between leakage current and voltage of electrodes satisfies the FN formula,and the field electron emission effect of electrostatic repulsive actuators is firstly found.The effective emitting area and field enhancement factor are computed based on the measurement results of the two actuators.Due to the structure characteristic,the parallel-plate actuator has larger notional emitting area and smaller field enhancement factor than repulsive actuator.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924