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随机栅长变化引起纳米MOSFET失配模型
  • ISSN号：1003-9775
  • 期刊名称：《计算机辅助设计与图形学学报》
  • 时间：0
  • 分类：TP386[自动化与计算机技术—计算机系统结构;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 作者机构：杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室,杭州310018
  • 相关基金：国家自然科学基金（61331006,61302009,61271064,61571171）;浙江省自然科学基金（LZ12F01001）.
作者： 吕伟锋, 王光义, 林弥, 孙玲玲
关键词： 失配模型, 纳米MOS器件, 工艺参数波动, 短沟道效应
中文摘要：

随着CMOS 技术进入纳米工艺, 随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一. 文中分析并验证了纳米MOS 器件随机栅长变化导致电流增益因子与阈值电压的之间的相关性及失配解析关系式, 并以此为基础, 结合偏差传递理论实现了22 nm 工艺MOSFET 电流失配模型.仿真实验结果表明, 该模型揭示了短沟道效应导致的器件阈值电压变化改变了载流子有效迁移率, 进而影响电流增益因子及器件电流的规律, 精确地估计了随机栅长变化导致的电气参数统计变化特性.

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期刊信息
  • 《计算机辅助设计与图形学学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国计算机学会
  • 主编：鲍虎军
  • 地址：北京2704信箱
  • 邮编：100190
  • 邮箱：jcad@ict.ac.cn
  • 电话：010-62562491
  • 国际标准刊号：ISSN：1003-9775
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2925/TP
  • 邮发代号:82-456
  • 获奖情况:
  • 第三届国家期刊奖提名奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:24752