位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Influence of Ta and TaN bottom electrodes on electrical performances of MIM capacitors with atomic-l
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：物理学报
  • 时间：0
  • 页码：3433-3436
  • 语言：中文
  • 相关项目：原子层淀积高介电常数栅介质的界面层抑制和性能调控
作者： Xu Jun|Zhang Wei|Ding Shi-Jin|Huang Yu-Jian|
同期刊论文项目
原子层淀积高介电常数栅介质的界面层抑制和性能调控
期刊论文 27
同项目期刊论文
Spectroscopic ellipsometry study of thin NiO films grown on Si (100) by atomic layer deposition
Improvement of Atomic-Layer-Deposited Al2O3/GaAs Interface Property by Sulfuration and NH3 Thermal N
Band Structures of Metal-Oxide Capped Graphene: A First Principles Study
Nonvolatile Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Ru-RuO (x) Composite Nanodots Embedded in Atom
Ta2O5在Si（100）表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究
A novel self-refreshable capacitorless DRAM cell and its extended applications
Investigation of Thermal Stability of Atomic-Layer-Deposited MgO Thin Films on Si(100) Using X-Ray P
Investigation on memory effect of MOS capacitors with Al-2 O-3/Pt-nanocrystals/HfO2
Electronic structure and optical properties of Nb doped Al2O3 on Si by atomic layer deposition
Highly Uniform Bipolar Resistive Switching With Al2O3 Buffer Layer in Robust NbAlO-Based RRAM
Atomic-Layer-Deposited HfLaO-Based Resistive Switching Memories With Superior Performance
Effect of pulse-plated nickel barriers on tin whisker growth for pure tin solder joints
Initial reaction mechanism of nitrogen-doped zinc oxide with atomic layer deposition
Atomic Layer Deposition of Al2O3 on H-Passivated GeSi: Initial Surface Reaction Pathways with H/GeSi
Density Functional Theory Study on the Reaction Mechanisms of Bis(cyclopentadienyl)magnesium with Hy
Surface reaction mechanism of Y2O3 atomic layer deposition on the hydroxylated Si(100)-2 x 1: A dens
高介电常数HfO2栅介质的制备及性能
N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响
期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876