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Thermoelastic stresses in SiC single crystals grown by the physical vapor transport method
  • ISSN号:0567-7718
  • 期刊名称:《力学学报:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:O343.6[理学—固体力学;理学—力学]
  • 作者机构:[1]Institute of Mechanics, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100080, China, [2]Department of Mechanical and Materials Engineering,Florida International University,10555 W Flagler St., Miami,FL 33174, USA
  • 相关基金:The project supported by the National Natural Science Foundation of China (10472126) and the Knowledge Innovation Program of Chinese Academy of Sciences The English text was polished by Keren Wang
中文摘要:

有限基于元素的 thermoelastic 为六角形的碳化矽 polytype 的各向异性的压力模型为热压力的计算被开发在原文如此,物理蒸汽种的晶体搬运方法。水晶和石墨盖在模型被考虑的原文如此成长的合成结构。在坩锅盖之间的热扩大火柴并且原文如此,水晶第一次被学习。脱臼密度和水晶质量上的热应力的影响被讨论。

英文摘要:

A finite element-based thermoelastic anisotropic stress model for hexagonal silicon carbide polytype is developed for the calculation of thermal stresses in SiC crystals grown by the physical vapor transport method. The composite structure of the growing SiC crystal and graphite lid is considered in the model. The thermal expansion match between the crucible lid and SiC crystal is studied for the first time. The influence of thermal stress on the dislocation density and crystal quality is discussed.

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期刊信息
  • 《力学学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国力学学会 中国科学院力学研究所
  • 主编:卢天健
  • 地址:北京市海淀区北四环西路15号
  • 邮编:100190
  • 邮箱:actams@cstam.org.cn
  • 电话:010-62536271
  • 国际标准刊号:ISSN:0567-7718
  • 国内统一刊号:ISSN:11-2063/O3
  • 邮发代号:2-703
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:352