应用分子动力学方法研究了Cu和Al单晶在Ⅱ型加载条件下,加载速率对位错发射、层错宽度W及位错速度Vd的影响。结果表明,加载速率对W和Vd有显著影响。随着加载速率的增大,层错宽度减小,位错速度增大。当加载速率达到某一临界值时,能量不仅以发射位错的形式释放,而且形成孪晶,以降低体系的能量。