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Characteristics and Time-Dependent Instability of Ga-Doped ZnO Thin Film Transistor Fabricated by Ra
  • 期刊名称:Chin. Phys. Lett.
  • 时间:0
  • 页码:128502-128502
  • 相关项目:有机/ZnMgO复合薄膜结构新型紫外探测器的研究
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