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SPPs光刻曝光显影模拟研究
  • ISSN号：1004-4213
  • 期刊名称：《光子学报》
  • 时间：0
  • 分类：O436.1[机械工程—光学工程;理学—光学;理学—物理]
  • 作者机构：[1]四川大学物理科学与技术学院,成都610064, [2]武警成都指挥学院教研部,成都610213
  • 相关基金：国家自然科学基金（60676024）; 教育部博士点基金（20060610006）资助
作者： 郑宇[1,2], 王景全[1], 李敏[1], 牛晓云[1], 杜惊雷[1]
关键词： SPPs光刻, 干涉光刻, 曝光潜像, 显影轮廓, SPPs lithography, Interference lithography, Exposed latent image, Image contours
中文摘要：

基于薄层抗蚀剂的曝光模型,建立了普遍适应于表面等离子体激元光刻的抗蚀剂曝光模型.选用AZ1500和AR3170两种抗蚀剂对表面等离子体激元干涉光刻曝光显影过程进行计算对比,获得表面等离子体激元光刻显影的最终轮廓.由此得出工艺优化的条件,对表面等离子体激元光刻的进一步工作和实验开展有着重要的意义.

英文摘要：

Based on the models of thin-layer resist exposure and developing,the SPPs resist exposure model is established.Two kinds of resist of AZ1500 and AR3170 are chosen to simulate the process of exposure and developing,and the final profile of SPPs lithography is obtained.Some craft optimization conditions are also conclucled.The research results are for experiment and future work of SPPs lithography.

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期刊信息
  • 《光子学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国光学学会 西安光机所
  • 主编：侯洵
  • 地址：西安市高新区新型工业园信息大道17号47分箱
  • 邮编：710119
  • 邮箱：photo@opt.cn
  • 电话：029-88887564
  • 国际标准刊号：ISSN：1004-4213
  • 国内统一刊号：ISSN：61-1235/O4
  • 邮发代号:52-105
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,曾获中国光学学会先进期刊奖,中国科学院优秀期刊三等奖,陕西省国防期刊一等奖等
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,波兰哥白尼索引,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:20700