基于非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的沟道电流(Ids)温度特性,提出了一种新型的室温红外探测器(TFT-IRDT),它利用a-Si:HTFT作为红外探测敏感元件,读出电路采用差分放大器结构,a-Si:HTFT对管作差分输入管.Pspice模拟表明,信号输出与温度变化有较好的线性关系,温度响应灵敏度为4.1mV/K.