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Electronic structure and impurity states of S-doped cBN: A first-principle study
  • ISSN号：0925-8388
  • 期刊名称：Journal of Alloys and Compounds
  • 时间：2012.8.5
  • 页码：82-85
  • 相关项目：基于立方氮化硼薄膜的紫外光电探测器的设计与研制
作者： Chen, A. L.|Wang, X.|Dai, T. G.|Yang, H. S.|
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