中文摘要：

半导体工艺的持续发展和芯片集成度的显著提高,导致芯片发热量的增大与可靠性的下降,限制了性能的进一步提升,功耗已经成为微处理器设计领域的一个关键问题.片上存储结构作为微处理器的重要组成部分,在微处理器总功耗中占据了很大的比重.Wattch为片上存储结构提供了动态功耗模拟模型,但不能反映最新的结构和工艺变化.结合CACTI中存储结构的峰值功耗估算模型,改进了Wattch中存储结构的动态功耗模拟模型,不仅扩展了模型适用的工艺范围,也反映了10年间存储结构的改进.利用改进的模型探索了片上存储结构在深亚微米工艺下的功耗.

英文摘要：

半导体工艺的持续发展和芯片集成度的显著提高,导致芯片发热量的增大与可靠性的下降,限制了性能的进一步提升,功耗已经成为微处理器设计领域的一个关键问题.片上存储结构作为微处理器的重要组成部分,在微处理器总功耗中占据了很大的比重.Wattch为片上存储结构提供了动态功耗模拟模型,但不能反映最新的结构和工艺变化.结合CACTI中存储结构的峰值功耗估算模型,改进了Wattch中存储结构的动态功耗模拟模型,不仅扩展了模型适用的工艺范围,也反映了10年间存储结构的改进.利用改进的模型探索了片上存储结构在深亚微米工艺下的功耗.