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基于改进忆阻器的混沌电路研究
  • ISSN号:1007-5461
  • 期刊名称:《量子电子学报》
  • 时间:0
  • 分类:TM54[电气工程—电器]
  • 作者机构:[1]湖南科技大学信息与电气工程学院,湖南湘潭411201
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(11272119,51374107),湖南省自然科学基金项目(14JJ2099),湖南省工业科技支撑计划项目(2011GK3160).
中文摘要:

忆阻器是一种具有记忆和连续输出特点的非线性电阻器,针对窗函数忆阻器模型的不足,提出了一种改进的窗函数,它通过添加一个参数来关联忆阻器的线性与非线性特性。为了对该窗函数进行验证,运用了数值分析与模拟电路分析的方法,仿真得出了忆阻器的伏安特性曲线,结果表明,使用改进窗函数的忆阻器模型更加接近实际物理状态。同时,为了进一步研究该模型的电路特性,将该模型应用于蔡氏混沌电路,通过MATLAB仿真得出其相图,并分析它的李雅普诺夫指数谱,数据表明该电路能产生混沌现象,因此,该忆阻器模型是一个能被应用的非线性模型。

英文摘要:

Memristor is a nonlinear resistor with memory and continuous output characteristics. In this paper, an improved window function of the memristor is proposed, which add a parameter to correlate the linear and nonlinear characteristics of memristors. In order to validate the window function, the volt-ampere characteristic curve is simulated by using the analysis method of numerical analysis and circuit simulation. Results show that, the memristor model improvement of window function is closer to the actual physical state. At the same time, in order to further study on characteristics of the circuit model, the model is applied to Chua' s chaotic circuit, the phase diagram was obtained by MATLAB simulation, and its Lyapunov exponent spectrum was analyzed. Data show that the circuit can generate chaotic phenomenon, therefore the memristor model is a nonlinear model can be applied.

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期刊信息
  • 《量子电子学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国光学学会基础光学专业委员会 中国科学院安徽光学精密机械研究所
  • 主编:龚知本
  • 地址:合肥1125号信箱
  • 邮编:230031
  • 邮箱:lk@aiofm.ac.cn
  • 电话:0551-5591564
  • 国际标准刊号:ISSN:1007-5461
  • 国内统一刊号:ISSN:34-1163/TN
  • 邮发代号:26-89
  • 获奖情况:
  • 1997年获“中国光学期刊”二等奖,1994年评比华东地区优秀期刊三等奖,1998年评为安徽省优秀科技期刊二等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:4844