位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
考慮參雜曲線位置變化之表面電場為基礎之奈米金氧半場效晶體管模型
  • ISSN号：0018-9383
  • 期刊名称：IEEE Transactions on Electron Devices
  • 时间：2014.12.6
  • 页码：4040-4046
  • 相关项目：用于亚40纳米先进金氧半绝缘体上硅技术的精简模型研究
作者： Qi Cheng|Chuyang Hong|郭正邦|yijian Chen|
同期刊论文项目
用于亚40纳米先进金氧半绝缘体上硅技术的精简模型研究
期刊论文 10 会议论文 9
同项目期刊论文
Floating-Body Kink-Effect Related Parasitic Bipolar Transistor Behavior in Poly-Si TFT
An Open-Switch Fault Diagnosis Method forSingle-Phase PWM Rectifier Using a Model-BasedApproach in H
考虑Grain Boundary处Tail State之degradation之多晶硅薄膜晶体管的Drain电流分析模型
An Analytic Surface-Field-Based Quasi-AtomisticModel for Nanowire MOSFETs WithRandom Dopant Fluctuat