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Silicon crystal growth under oguilibrium condition of SiO2-Si-SiO system :egllibrium oxggin segregat
  • 期刊名称：Japanese J.Appl.Physics
  • 时间：0
  • 页码：1998,37,1504-1507
  • 语言：英文
  • 相关项目：高温氧化物熔体的物性研究
作者： X.M.Huang|
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