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Ag-N共掺杂ZnO电子结构的理论研究
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:《半导体光电》
  • 时间:0
  • 分类:O472.4[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]南京邮电大学电子科学与工程学院,南京210023, [2]香港城市大学物理与材料科学系,香港999077
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(11304159,61106009,60778007)
中文摘要:

采用基于DFT理论的第一性原理方法研究了Ag-N共掺杂纤锌矿ZnO的晶格结构和电子结构,计算了包括共掺杂体系的晶格常数、杂质形成能和电子态密度等性质。研究结果显示,共掺改善了杂质原子对体相晶格结构的扰动,提高了掺杂的稳定性。此外,电子结构的计算表明共掺形成的受主能级较单掺时更浅,且空穴态的局域性降低,从而改善了p型ZnO的传导特性,表明受主共掺可能是一种比较有潜力的p型ZnO掺杂方式。计算与实验结果符合,为受主共掺形成p型ZnO的机理提供了理论支持。

英文摘要:

The crystal and electronic structure,involving the crystal lattice,impurity formation energy,as well as density of states,of Ag-N codoped wurtzite ZnO were simulated and then calculated by using the first-principles based on the density functional theory(DFT),.The results show that codoping minimizes the changes of lattice constants resulted form the impurity atoms and improved the stability of the dopant.Besides,Ag-N codoping can form a shallower acceptor level and higher acceptor densities.Furthermore,the nonlocalization of hole carriers is enhanced,the conductivity characters of the p-type ZnO is therefore improved,indicating that the dual-acceptor codoping may be a promising way for generating p-type ZnO.The calculations compare well with the experimental results,which thus provide theoretical support to the formation mechanism of dual-acceptor induced p-type ZnO.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924