位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
High-Performance Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin-Film Transistors With HfOxNy/HfO2/HfOxNy T
  • ISSN号:0741-3106
  • 期刊名称:IEEE Electron Device Letters
  • 时间:2011.1.1
  • 页码:42-44
  • 相关项目:基于n-GaN衬底和ZnO/ZnMgO多量子阱的MIS结构二极管的紫外发光及发热特性研究
同期刊论文项目
同项目期刊论文